SI5903DC-T1-E3
Vishay Siliconix
Deutsch
Artikelnummer: | SI5903DC-T1-E3 |
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Hersteller / Marke: | Vishay / Siliconix |
Teil der Beschreibung.: | MOSFET 2P-CH 20V 2.1A 1206-8 |
Datenblätte: |
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RoHs Status: | ROHS3 -konform |
ECAD -Modell: | |
Zahlungsmittel: | PayPal / Credit Card / T/T |
Versandweg: | DHL / Fedex / TNT / UPS / EMS |
Aktie: |
Ship From: Hong Kong
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Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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VGS (th) (Max) @ Id | 600mV @ 250µA (Min) |
Technologie | MOSFET (Metal Oxide) |
Supplier Device-Gehäuse | 1206-8 ChipFET™ |
Serie | TrenchFET® |
Rds On (Max) @ Id, Vgs | 155mOhm @ 2.1A, 4.5V |
Leistung - max | 1.1W |
Verpackung / Gehäuse | 8-SMD, Flat Lead |
Paket | Tape & Reel (TR) |
Betriebstemperatur | -55°C ~ 150°C (TJ) |
Produkteigenschaften | Eigenschaften |
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Befestigungsart | Surface Mount |
Eingabekapazität (Ciss) (Max) @ Vds | - |
Gate Charge (Qg) (Max) @ Vgs | 6nC @ 4.5V |
FET-Merkmal | Logic Level Gate |
Drain-Source-Spannung (Vdss) | 20V |
Strom - Ununterbrochener Abfluss (Id) bei 25 ° C | 2.1A |
Konfiguration | 2 P-Channel (Dual) |
Grundproduktnummer | SI5903 |
SI5903DC-T1-E3 Einzelheiten PDF [English] | SI5903DC-T1-E3 PDF - EN.pdf |
MOSFET 2N-CH 20V 3.1A 1206-8
VBSEMI ECH8
SI5903DC-T1 VISHAY
MOSFET 2N-CH 30V 4A 1206-8
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2023/12/20
![]() SI5903DC-T1-E3Vishay Siliconix |
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Zielpreis (USD)
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